Kioxia và Western Digital đã tiết lộ thiết bị bộ nhớ BiCS 3D NAND thế hệ thứ 8 do họ cùng phát triển có 218 lớp hoạt động. IC mới tự hào có tốc độ giao diện 3200 MT/s phá kỷ lục, cho phép các nhà phát triển xây dựng các hệ thống con lưu trữ hiệu suất cao (chẳng hạn như SSD máy khách nhanh nhất trong ngành) bằng cách sử dụng ít chip NAND 3D hơn. Để kích hoạt I/O 3200 MT/s, hai công ty đã lấy một trang từ cuốn sách Xtacking của YMTC.
Thiết bị BiCS 3D TLC NAND thế hệ thứ 8 đầu tiên được giới thiệu trong tuần này có dung lượng 1Tb (128GB), kiến trúc bốn mặt phẳng để tối đa hóa tính song song và hiệu suất bên trong cũng như tốc độ giao diện 3200 MT/s (sẽ cung cấp tốc độ đọc/ghi tuần tự cao nhất tốc độ 400 MB/s). Kioxia và Western Digital là những nhà sản xuất NAND 3D đầu tiên trên thế giới công bố IC bộ nhớ flash với tốc độ I/O 3200 MT/s, bỏ xa các đối thủ cạnh tranh 33%.
Nhưng trong khi việc chế tạo thiết bị bộ nhớ NAND 3D nhanh nhất thế giới tự nó đã là một thành tựu, thì thật thú vị khi hai công ty đạt được điều này như thế nào. Bộ nhớ BiCS 3D NAND thế hệ thứ 8 của Kioxia và Western Digital có kiến trúc đổi mới được gọi là CBA (CMOS được liên kết trực tiếp với mảng), tương tự như Xtacking đã được công nhận của YMTC.
Thông thường, mảng ô 3D NAND nằm bên cạnh hoặc bên trên các mạch ngoại vi của nó như bộ đệm trang, bộ khuếch đại cảm biến, bơm sạc và I/O. Trong khi đó, từ góc độ sản xuất chất bán dẫn, việc tạo ra bộ nhớ và logic ngoại vi sử dụng cùng một công nghệ chế tạo là không thực sự hiệu quả. Kiến trúc CBA và Xtacking liên quan đến việc sản xuất mảng ô 3D NAND và I/O CMOS trên các tấm wafer riêng biệt bằng cách sử dụng các nút sản xuất tối ưu, thứ cho phép tối đa hóa mật độ bit của mảng bộ nhớ và hiệu suất I/O.
Ngoài I/O nhanh nhất trong ngành, Kioxia và Western Digital tuyên bố rằng IC NAND 3D mới nhất của họ cũng tự hào về mật độ bit cao nhất trong ngành, mặc dù không nói rõ chúng ta đang xem xét mật độ bit nào. Trong khi đó, đáng chú ý là BiCS 3D TLC NAND thế hệ thứ 8 được giới thiệu có thể hoạt động ở cả chế độ 3D TLC và 3D QLC, do đó có khả năng giải quyết cả SSD dành cho doanh nghiệp và máy khách cao cấp hiệu suất cao/dung lượng lớn cũng như các ổ đĩa rẻ nhưng nhanh cho máy khách hoặc ứng dụng lưu trữ cấp trung tâm dữ liệu mật độ cao.
Kioxia cho biết họ đã bắt đầu lấy mẫu các thiết bị bộ nhớ BiCS 3D NAND thế hệ thứ 8 với một số khách hàng được chọn. Tuy nhiên, công ty đã không cung cấp bất kỳ thông tin nào về thời gian bắt đầu sản xuất số lượng lớn bộ nhớ flash mới nhất của mình. Vì phải mất nhiều thời gian để các nhà sản xuất bộ nhớ flash và bộ điều khiển SSD kết hợp loại trước với loại sau, nên các nhà sản xuất NAND thường tiết lộ các loại bộ nhớ mới trước khi bắt đầu sản xuất hàng loạt. Điều đó có nghĩa là, hãy mong đợi BiCS 3D NAND thế hệ thứ 8 sẽ xuất hiện trên thị trường vào khoảng năm 2024, mặc dù chúng tôi đang suy đoán ở đây.
Masaki Momodomi, Giám đốc Công nghệ của Kioxia Corporation cho biết: “Thông qua quan hệ đối tác kỹ thuật độc đáo của chúng tôi, chúng tôi đã ra mắt thành công BiCS Flash thế hệ thứ tám với mật độ bit cao nhất trong ngành”. “Tôi rất vui vì các lô hàng mẫu của Kioxia dành cho một số khách hàng nhất định đã bắt đầu. Bằng cách áp dụng công nghệ CBA và đổi mới quy mô, chúng tôi đã nâng cao danh mục công nghệ bộ nhớ flash 3D của mình để sử dụng trong nhiều ứng dụng tập trung vào dữ liệu, bao gồm cả điện thoại thông minh, thiết bị IoT và dữ liệu trung tâm.”
