Trong một diễn biến khá bất ngờ, vào cuối ngày thứ Năm, Samsung cho biết họ đã hoàn thành việc phát triển chip bộ nhớ GDDR7 đầu tiên trong ngành. Thiết bị mới sẽ có tốc độ truyền dữ liệu 32 GT/s, sử dụng tín hiệu điều biến biên độ xung (PAM3) và hứa hẹn cải thiện hiệu suất năng lượng 20% so với GDDR6. Để đạt được điều này, Samsung đã phải triển khai một số công nghệ mới.
Thiết bị GDDR7 16Gb đầu tiên của Samsung có tốc độ truyền dữ liệu là 32 GT/giây và do đó tự hào có băng thông 128 GB/giây, tăng đáng kể từ 89,6 GB/giây trên mỗi chip do GDDR6X cung cấp với tốc độ 22,4 GT/giây. Nói một cách dễ hiểu, một hệ thống phụ bộ nhớ 384 bit có chip GDDR7 32 GT/giây sẽ cung cấp băng thông khổng lồ 1,536 TB/giây, vượt xa 1,008 TB/giây của GeForce RTX 4090.
Để đạt tốc độ truyền dữ liệu cao chưa từng thấy, GDDR7 sử dụng tín hiệu PAM3, một loại điều chế biên độ xung có ba mức tín hiệu riêng biệt (-1, 0 và +1). Cơ chế này cho phép truyền ba bit dữ liệu trong hai chu kỳ, hiệu quả hơn so với NRZ hai cấp, là phương pháp được sử dụng bởi GDDR6. Tuy nhiên, điều quan trọng cần lưu ý là tín hiệu PAM3 phức tạp hơn để tạo và giải mã so với tín hiệu NRZ (có nghĩa là tiêu thụ nhiều năng lượng hơn) và chúng có thể dễ bị nhiễu và nhiễu hơn. Trong khi đó, có vẻ như lợi ích của PAM3 lớn hơn những thách thức của nó, do đó, nó được thiết lập để được chấp nhận bởi cả GDDR7 và USB4 v2.
Ngoài hiệu suất cao hơn, chip 32 GT/s GDDR7 của Samsung cũng được cho là có hiệu suất năng lượng cải thiện 20% so với 24 GT/s GDDR6, mặc dù Samsung không chỉ định cách thức đo lường hiệu suất năng lượng. Thông thường, các nhà sản xuất bộ nhớ có xu hướng đo công suất trên mỗi bit được truyền, đây là một điều hợp lý và từ quan điểm này, GDDR7 hứa hẹn sẽ hiệu quả hơn GDDR6.
Trong khi đó, điều này không có nghĩa là chip bộ nhớ GDDR7 và bộ điều khiển bộ nhớ GDDR7 sẽ tiêu thụ ít hơn IC và bộ điều khiển GDDR6 ngày nay. Mã hóa/giải mã PAM3 phức tạp hơn và sẽ cần nhiều năng lượng hơn. Trên thực tế, Samsung thậm chí còn nói rằng họ đã sử dụng hợp chất đúc epoxy (EMC) có tính dẫn nhiệt cao và khả năng chịu nhiệt thấp hơn 70% cho bao bì GDDR7 để đảm bảo rằng các thành phần hoạt động (bản thân IC) không bị quá nóng, đó là một chỉ số cho thấy thiết bị bộ nhớ GDDR7 nóng hơn thiết bị bộ nhớ GDDR6, đặc biệt là khi hoạt động ở xung nhịp cao.
Cũng cần lưu ý rằng các thành phần GDDR7 của Samsung sẽ cung cấp tùy chọn điện áp hoạt động thấp cho các ứng dụng như máy tính xách tay, nhưng công ty không tiết lộ loại hiệu suất mà chúng ta nên mong đợi từ các thiết bị đó.
Sự thật mà nói, thông báo của Samsung có một chút chi tiết. Công ty không cho biết khi nào họ có kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt các thành phần GDDR7 và công nghệ xử lý nào sẽ được thiết lập để sử dụng. Với nhịp độ ra mắt kiến trúc GPU mới của AMD và Nvidia — hai năm một lần — thật hợp lý khi kỳ vọng các bộ xử lý đồ họa thế hệ tiếp theo sẽ tung ra thị trường vào năm 2024 và nhiều khả năng chúng sẽ áp dụng GDDR7.
Trong khi đó, Samsung hy vọng trí tuệ nhân tạo, điện toán hiệu năng cao và các ứng dụng ô tô cũng sẽ tận dụng lợi thế của GDDR7, vì vậy có lẽ một số loại ASIC AI hoặc HPC có thể áp dụng GDDR7 trước GPU.
“DRAM GDDR7 của chúng tôi sẽ giúp nâng cao trải nghiệm người dùng trong các lĩnh vực đòi hỏi hiệu suất đồ họa vượt trội, chẳng hạn như máy trạm, PC và bảng điều khiển trò chơi, đồng thời dự kiến sẽ mở rộng sang các ứng dụng trong tương lai như AI, điện toán hiệu năng cao (HPC) và phương tiện ô tô.” Yongcheol Bae, Phó Chủ tịch Điều hành Nhóm Lập kế hoạch Sản phẩm Bộ nhớ tại Samsung Electronics cho biết. “DRAM đồ họa thế hệ tiếp theo sẽ được đưa ra thị trường phù hợp với nhu cầu của ngành và chúng tôi có kế hoạch tiếp tục dẫn đầu trong lĩnh vực này.”
