Các nhà nghiên cứu của Kioxia trình diễn Flash NAND tế bào cấp độ Hepta, tăng gần gấp đôi dung lượng của QLC

Các nhà nghiên cứu NAND tại Kioxia đã trình diễn thành công khái niệm hoạt động của kiến ​​trúc lưu trữ mới có tên là flash NAND tế bào cấp Hepta. Loại NAND mới này có thể chứa tối đa 7 bit trên mỗi ô, mang lại cho nó dung lượng lưu trữ gần gấp đôi so với QLC NAND flash. Nếu Kioxia có thể ổn định kiến ​​trúc lưu trữ này ở nhiệt độ phòng, thì nó có thể trở thành sản phẩm kế thừa cuối cùng cho việc quay ổ cứng trong các ứng dụng của người tiêu dùng và doanh nghiệp.

Để tạo ra đèn flash NAND cấp hepta, Kioxia đang sử dụng một thiết kế mới gọi là công nghệ xử lý silicon mới để tăng mật độ tế bào, kết hợp với làm mát bằng phương pháp đông lạnh. Công nghệ xử lý silicon mới thay thế vật liệu poly-silicon hiện tại bằng silicon đơn tinh thể được sử dụng trong một kênh bên trong bóng bán dẫn ô nhớ. Điều này dường như làm giảm tới 2/3 lượng nhiễu đọc phát ra từ đèn flash NAND. Nói cách khác, công nghệ xử lý silicon mới tạo ra tín hiệu đọc rõ ràng hơn để đọc dữ liệu từ đèn flash NAND, đủ để tăng dung lượng ô bit lên 7.

Kioxia đơn tinh thể so với đa tinh thể

(Nguồn: Kioxia)

Kioxia cho biết kiến ​​trúc lưu trữ mới này cũng sẽ rẻ hơn đáng kể để sản xuất và thậm chí còn có một giải pháp được đề xuất kết hợp đèn flash cấp hepta với làm mát bằng phương pháp đông lạnh. Điều đó sẽ rẻ hơn so với các ổ SSD (làm mát bằng không khí hoặc làm mát thụ động) hiện có trên thị trường.

Chia sẻ cho bạn bè cùng đọc